DPG60C200HB
ns
3
A
TVJ
=°C25
reverse recovery time
A
7
35
55
ns
IRM
max. reverse recovery current
IF
=A;30
VR
=V130
T=125°CVJ
-diF/dt
=A/μs200
trr
TVJ
=°C25
T=125°CVJ
V = VR
200
Symbol Definition
Ratings
typ. max.
IR
V
IFAV
A
VF
1.34
RthJC
0.95 K/W
min.
30
VRSM
V
1
T = 25°CVJ
T = °CVJ
150
mA
0.1
V = VR
200
T = 25°CVJ
I = AF
30
V
T = °CC
140
Ptot
160
W
T = 25°CC
RthCH
K/W
max. non-repetitive reverse blocking voltage
reverse current, drain current
forward voltage drop
total power dissipation
Conditions
Unit
1.63
T = 25°CVJ
VF0
V
0.70
T = °CVJ
175
rF
10.5
m?
V
1.06
T = °CVJ
150
I = AF
30
V
1.39
I = AF
60
I = AF
60
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
μA
VRRM
V
200
max. repetitive reverse blocking voltage
T = 25°CVJ
CJ
42
junction capacitance
V = VR
150 T = 25°Cf = 1 MHz
VJ
pF
IFSM
t = 10 ms; (50 Hz), sine; T = 45°CV = 0 VR
VJ
max. forward surge current
T = °CVJ
175
360
A
rectangular 0.5d =
average forward current
thermal resistance junction to case
thermal resistance case to heatsink
Fast Diode
200
0.25
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131126b
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
DPG60C200QB
DIODE HFRED 200V 2X30A TO-3P
DPG60C300HB
DIODE HFRED 300V 2X30A TO-247AD
DPG60C300HJ
DIODE FRED 300V 2X30A ISOPLUS247
DPG60C300PC
DIODE HFRED 300V 2X30A TO-263
DPG60C300QB
DIODE HFRED 300V 2X30A TO-3P
DPG60C400HB
DIODE HFRED 400V 2X30A TO-247
DPG60C400QB
DIODE HFRED 400V 2X30A TO-3P
DPH30IS600HI
DIODE HFRED 600V 30A ISOPLUS247
相关代理商/技术参数
DPG60C200QB
功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DPG60C300HB
功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DPG60C300HJ
功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DPG60C300PC
功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DPG60C300QB
功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DPG60C400HB
功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DPG60C400QB
功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DPG60I300HA
功能描述:整流器 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel